५जी, आर्टिफिसियल इन्टेलिजेन्स (एआई) र इन्टरनेट अफ थिंग्स (आईओटी) को द्रुत विकाससँगै, अर्धचालक उद्योगमा उच्च-प्रदर्शन सामग्रीको माग नाटकीय रूपमा बढेको छ।जिरकोनियम टेट्राक्लोराइड (ZrCl₄)उच्च-के फिल्महरूको तयारीमा यसको प्रमुख भूमिकाको कारणले गर्दा, एक महत्त्वपूर्ण अर्धचालक सामग्रीको रूपमा, उन्नत प्रक्रिया चिपहरू (जस्तै 3nm/2nm) को लागि अपरिहार्य कच्चा पदार्थ बनेको छ।
जिरकोनियम टेट्राक्लोराइड र उच्च-के फिल्महरू
अर्धचालक निर्माणमा, उच्च-के फिल्महरू चिप कार्यसम्पादन सुधार गर्ने प्रमुख सामग्रीहरू मध्ये एक हुन्। परम्परागत सिलिकन-आधारित गेट डाइलेक्ट्रिक सामग्रीहरू (जस्तै SiO₂) को निरन्तर संकुचन प्रक्रियाको रूपमा, तिनीहरूको मोटाई भौतिक सीमामा पुग्छ, जसले गर्दा चुहावट बढ्छ र बिजुली खपतमा उल्लेखनीय वृद्धि हुन्छ। उच्च-के सामग्रीहरू (जस्तै जिरकोनियम अक्साइड, हाफनियम अक्साइड, आदि) ले प्रभावकारी रूपमा डाइलेक्ट्रिक तहको भौतिक मोटाई बढाउन, टनेलिङ प्रभाव घटाउन, र यसरी इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूको स्थिरता र कार्यसम्पादन सुधार गर्न सक्छ।
जिरकोनियम टेट्राक्लोराइड उच्च-के फिल्महरूको तयारीको लागि एक महत्त्वपूर्ण अग्रदूत हो। जिरकोनियम टेट्राक्लोराइडलाई रासायनिक वाष्प निक्षेपण (CVD) वा परमाणु तह निक्षेपण (ALD) जस्ता प्रक्रियाहरू मार्फत उच्च-शुद्धता जिरकोनियम अक्साइड फिल्महरूमा रूपान्तरण गर्न सकिन्छ। यी फिल्महरूमा उत्कृष्ट डाइइलेक्ट्रिक गुणहरू छन् र चिप्सको प्रदर्शन र ऊर्जा दक्षतामा उल्लेखनीय सुधार गर्न सक्छन्। उदाहरणका लागि, TSMC ले यसको 2nm प्रक्रियामा विभिन्न नयाँ सामग्रीहरू र प्रक्रिया सुधारहरू प्रस्तुत गर्यो, जसमा उच्च डाइइलेक्ट्रिक स्थिर फिल्महरूको प्रयोग समावेश छ, जसले ट्रान्जिस्टर घनत्वमा वृद्धि र बिजुली खपतमा कमी हासिल गर्यो।
विश्वव्यापी आपूर्ति श्रृंखला गतिशीलता
विश्वव्यापी अर्धचालक आपूर्ति श्रृंखलामा, आपूर्ति र उत्पादन ढाँचाजिरकोनियम टेट्राक्लोराइडउद्योगको विकासको लागि महत्वपूर्ण छन्। हाल, चीन, संयुक्त राज्य अमेरिका र जापान जस्ता देशहरू र क्षेत्रहरूले जिरकोनियम टेट्राक्लोराइड र सम्बन्धित उच्च डाइलेक्ट्रिक स्थिर सामग्रीहरूको उत्पादनमा महत्त्वपूर्ण स्थान ओगटेका छन्।
प्राविधिक सफलताहरू र भविष्यका सम्भावनाहरू
अर्धचालक उद्योगमा जिरकोनियम टेट्राक्लोराइडको प्रयोगलाई प्रवर्द्धन गर्ने प्रमुख कारकहरू प्राविधिक सफलताहरू हुन्। हालका वर्षहरूमा, परमाणु तह निक्षेपण (ALD) प्रक्रियाको अनुकूलन अनुसन्धानको केन्द्र बनेको छ। ALD प्रक्रियाले नानोस्केलमा फिल्मको मोटाई र एकरूपतालाई सही रूपमा नियन्त्रण गर्न सक्छ, जसले गर्दा उच्च डाइलेक्ट्रिक स्थिर फिल्महरूको गुणस्तरमा सुधार हुन्छ। उदाहरणका लागि, पेकिङ विश्वविद्यालयका लिउ लेईको अनुसन्धान समूहले भिजेको रासायनिक विधिद्वारा उच्च डाइलेक्ट्रिक स्थिर अनाकार फिल्म तयार गर्यो र यसलाई दुई-आयामी अर्धचालक इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूमा सफलतापूर्वक लागू गर्यो।
यसका साथै, अर्धचालक प्रक्रियाहरू साना आकारहरूमा अगाडि बढ्दै जाँदा, जिरकोनियम टेट्राक्लोराइडको प्रयोगको दायरा पनि विस्तार हुँदै गइरहेको छ। उदाहरणका लागि, TSMC ले २०२५ को दोस्रो आधामा २nm प्रविधिको ठूलो उत्पादन हासिल गर्ने योजना बनाएको छ, र सामसुङले पनि यसको २nm प्रक्रियाको अनुसन्धान र विकासलाई सक्रिय रूपमा प्रवर्द्धन गरिरहेको छ। यी उन्नत प्रक्रियाहरूको प्राप्ति उच्च-डाइइलेक्ट्रिक स्थिर फिल्महरूको समर्थनबाट अविभाज्य छ, र जिरकोनियम टेट्राक्लोराइड, एक प्रमुख कच्चा पदार्थको रूपमा, स्वयं स्पष्ट महत्त्वको छ।
संक्षेपमा, अर्धचालक उद्योगमा जिरकोनियम टेट्राक्लोराइडको प्रमुख भूमिका बढ्दो रूपमा प्रमुख हुँदै गइरहेको छ। 5G, AI र इन्टरनेट अफ थिंग्सको लोकप्रियतासँगै, उच्च-प्रदर्शन चिप्सको माग बढ्दै गइरहेको छ। उच्च-डाइइलेक्ट्रिक स्थिर फिल्महरूको एक महत्त्वपूर्ण अग्रदूतको रूपमा जिरकोनियम टेट्राक्लोराइडले अर्को पुस्ताको चिप प्रविधिको विकासलाई प्रवर्द्धन गर्न अपूरणीय भूमिका खेल्नेछ। भविष्यमा, प्रविधिको निरन्तर प्रगति र विश्वव्यापी आपूर्ति श्रृंखलाको अनुकूलनको साथ, जिरकोनियम टेट्राक्लोराइडको प्रयोगको सम्भावना फराकिलो हुनेछ।
पोस्ट समय: अप्रिल-१४-२०२५